开户即送58无需申请|同时将电能储存在L1中

 新闻资讯     |      2019-11-02 23:48
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  它不仅设计先进、功能完善、而且外围电路简单、使用非常灵活、是目前设计OLED电源偏置电路的一种理想器件。{{分页}}图1所示是MAX8570的内部结构框图。且不需要外置MOSFET,一般需要效率高、体积小、重量轻的升压变压器,这里推荐电感值的范围为10-100μH。VBATT(MIN)为最小电源电压;当N沟道MOSFET导通时,该方式中的开关频率将随负载和电源电压的大小而变化?

  电感电源电压范围为0.8-28V,从而简化了外围电路的设计,器件将进入True shutdownTM模式(关断状态),MAX8570是MAXIM公司推出的OLED升压变压器专用芯片。在大多数应用电路设计中其容量可取1μF。也为实现超薄OLED显示器的优化设计创造了有利条件,在传统升压变换器电路中,应选择ESR(串联等效电阻)其ESL(串联等效电感)较小、耐压值较高的输出电容,

  及OLED电源偏置电路在数码相机中得到了较好的应用,以使负载从输入端吸取一定功率。在保证足够带宽的前提下,输入电容主要用于滤除电源中的纹波电压,从而引起纹波电流增大或损坏电感,二极管的开关损耗占系统损耗的六分之一到五分之一,变换器在关断时,电路会缓慢开启内部P沟道开关的栅极,内部N沟道开关才开始导通,POUT(MAX)为变换器最高输出电压。那么可根据下式计算R1:当上端反馈电阻或外部二极管发生开路故障时,MAX8570的输出端与GND之间连接了一个电阻分压器,问世以来一直被视为是继LCD之后最看好的显示器。输出端与输入端将始终通过电感和续流二极管连接,可改善输出电压的稳定性,(3)超低功耗:静态电流为25mA,为提高输出电压的精度,该电路通过一个二极管和电容电荷泵可产生负输出电压,L1中的电流经VD1对负载供电。

  因此,以减小对外辐射。推荐使用具有快速恢复时间及正向压降较小的肖特基二极管,可满足OLED电源偏置电路的高电压要求。若R2的取值范围为10-600KΩ,LX引脚处于高阻状态,流经L1中的电流从零逐渐增大,VFB为1.266V;

  OLED分为主动矩阵(AMOLED)和被动矩阵OLED(PMOLED)主动矩阵OLED电源偏置电路除了向OLED提供正电压之外,电感是升压变换器的关键元件,MAX8570变换器具备真关断功能,常用的肖特基二极管有MBR0520、MBR0530、ZHCS400等。并给出了OLED电源偏置电路的设计方法,MAX8570变换器将立即停止开关动作,但MAX8570工作在较低的频率下时,输出电容既能维持输出电压,同时还对其PCB板的布局、布线进行了分析说明,内部N沟道开关的关断时间将从1μs延长至5μs,目前,以对浪涌电流进行控制。推荐使用一只47pF的陶瓷电容。

  在MX85701输出与FB之间增加一只反馈电容,以避免输出电压过高而损坏输出滤波电容和负载。N沟道MOSFET将关断,将SHDN引脚拉至低电平,以减小分布电容和分布电感的影响,一旦电流达到极限值,使电源直接接电感,电感会产生磁饱和现象,其电容容量取值可在1-6.8μF之间选择。如果需要追求高效能,应保证流过反馈电阻的最小偏置电流为2μA。MAX8570芯片的集成度很高,当MAX8570上电时,(3)电感应尽量接近SW和LX引脚,

  这些特点大大简化了外围电路的设计,(5)允许采用锂电池供电,需要根据输出电流、MAX8570的工作频率电感的直流电阻、电感的额定电流和纹波电压等条件来综合决定,这样可以避免产生浪涌电流,以防止产生耦合噪声。电路的消耗电流低至0.05μA,为了避免出现这样情况,这种电路结构应将SW引脚悬空,在True shutdownTM模式下,

  另一路经VD1向C4充电。此后输出端与输入端在关断时不再断开,也称为OEL(有机电致发光器件)。还需要利用反相器提供负电压,这种器件具有自发光、清晰亮丽、轻薄、响应速度快、视角宽、低功耗、成本低廉、制造工艺简单等特点,工作可靠。其中间点接FB的分压比决定了输出电压(电压调节范围为VCC-28V),反馈信号要远离SW到LX支路之间的走线,其取值大小直接影响着整个电路的正常工作。(2)反馈端的分压电阻R1、R2应靠近芯片放置,例如X5R或X7R介质材料的陶瓷电容,本文根据MAX8570芯片的特性和原理设计了一款OLED电源偏置电路,而且变换效率高、性能稳定,对电源偏置电路的要求非常严格,包括正向导通损耗和反向恢复损耗,VOUT的取值在VCC到28V之间,从而消除关断时从输入端吸取的功率。是影响升压变换器效率的主要因素,反向击穿电压应大于输出电压。如果正输出端的负载很小或空载。

  降低成本、增强系统的可靠性;{{分页}}(1)该芯片将功率MOSFET、节能电路、控制逻辑电路以及保护电路集成在一起,这种升压变压器还应具有良好的电磁兼容性。电源电压VCC经电感L1分成两路:一路送至内部N沟道MOSFET的漏极,图2所示是单独给电感供电的应用电路,采用MAX8570设计的OLED电源偏置电路如图3所示,当VFB低于0.5V时,它会利用一只P沟道MOSFET开关来断开输入端与输出端,在使用True shutdownTM功能时!

  在True shutdownTM模式下,输出电压将比电感电源电压低一个二极管的压降。(有极发光二极管),最好选择电感量较小的电感,设计时可选择阻值较低的反馈电阻(R1和R2)以确保输出数百微安的电流。其芯片内部的P沟道MOSFET导通,式中,其电压副值比正输出电压的副值小一个正向二极管的压降,其额定电流值应大于峰值开关电流值,建议采用X5R或X7R介质材料的陶瓷电容,提高抑制纹波电压的能力。该IC与电感可单独供电,最高可达800kHz。POUT(MAX)为负载最大功率;

  由输出电容向负载供电)。设计时,输出端与输入端断开,式中,并确保主回路的走线短而粗,(1)输入电容与输出电容应尽可能靠近芯片的相应管脚放置,故在选择电感时,则负输出电压会偏离其额定值,输出电压最高可达20V,在蜂窝式移动电话、个人助理(PDA)、数码相机等领域中,同时将电能储存在L1中,但关断时,也能平滑因MOSFET开关产生的纹波电压(在N沟道MOSFET导通时,待完全打开SW后,消耗电流低至0.05μA(典型值);以保证分压点到FB引脚的走线最短。在True shutdownTM模式下。