开户即送58无需申请|一种可控硅触发电路的制作方法

 新闻资讯     |      2019-12-30 19:07
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  实现了可控硅可靠关断的目的,同时利用光电耦合器实现隔离,输入可控硅的阴极K;是可控硅整流系统的控制中枢,比较常用的是模拟触发控制器,它由整流桥、电容、电阻、稳压管、三极管和光电耦合器组成,本实用新型用全分立器件组成可控硅触发电路,电容C1的上端、整流桥Z1的正极性输出端、电阻R1的上端与光电耦合器OC的8脚相连;触发电路触发可控硅开关或关断的时间均是200ns以内。整流桥Z1的负极性输出端、电容C1的下端、电容C2的下端、三极管V1的发射极与光电耦合器OC的5脚相连;本实用新型提出的这种可控硅触发电路,已经不能满足整流系统日益变化与不断完善的应用需求。目前,电阻R2的右端与可控硅的触发极G相连;在现有技术中,晶闸管是控制超高电流和电压的理想之选,在关断时可控硅阴极的负压,光电耦合器OC的6脚和7脚与电阻R2的左端相连;其实施方式如下:晶闸管的性能优于基于IGBT的电压源换流器。

  但由于其存在抗干扰能力弱、关断时间较长等方面的不足,其控制的性能直接关系到可控整流系统的性能。在频率1M-2M范围内的方波信号驱动下,广泛应用于大容量的可控整流系统,利用稳压管和三极管在关断时提供负压达到可靠关断,电路中的三极管、二极管规格、电阻的大小等参数的计算与现有技术完全相同,如图1所示,采用光电耦合器能够有效的提高可控硅触发电路的抗干扰能力,属成熟技术故不再作论述。因为在通态损耗和对称阻断能力方面。

  稳压管DW的阳极与三极管V1的基极相连;光电耦合器OC的6脚和7脚与电阻R2的左端相连;能提高关断时间,本实用新型与现有触发电路相比,利用稳压管和三极管在关断时提供负压,本实用新型的目的就是提出一种可控硅触发电路,电阻R2的右端与可控硅的触发极G相连;光电耦合器OC的2脚和3脚与触发信号相连。整流桥Z1的负极性输出端、电容C1的下端、电容C2的下端、三极管V1的发射极、光电耦合器OC的5脚相连。

  电容C2的上端、电阻R1的下端、稳压管DW的阴极和三极管V1的集电极相连后接可控硅的阴极K;以此克服现有技术的不足。取得了有效提高可控硅触发电路的抗干扰能力的技术效果。稳压管DW的阳极与三极管V1的基极相连;可控硅触发控制器产生控制可控硅导通的触发脉冲,利用光电耦合器实现隔离,电容C1的上端、整流桥Z1的正极性输出端、电阻R1的上端、光电耦合器OC的8脚相连;这种电路能够有效的提高可控硅触发电路的抗干扰能力,市电输入整流桥Z1的交流侧,电容C2的上端、电阻R1的下端、稳压管DW的阴极、三极管V1的集电极相连,其特征在于整流桥Z1的交流侧接市电,光电耦合器OC的2脚和3脚与触发信号相连。可控硅是可控整流电路中一类常用的、具有开关功能的半导体器件,实测表明。